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前沿研究:液態(tài)金屬印刷為第三代半導(dǎo)體制造業(yè)節(jié)能開辟新路

2023-06-11 13:15 來源: 高教學(xué)術(shù)公眾號 責(zé)編:覃子喻

摘要:
導(dǎo)體行業(yè)作為資本、人力和技術(shù)最為密集的制造業(yè),,始終面臨著這樣一個嚴(yán)峻挑戰(zhàn):生產(chǎn)未動,,水電先行。
    【CPP114】訊:近一個世紀(jì)以來,半導(dǎo)體憑借其性能優(yōu)勢及產(chǎn)業(yè)帶動作用,,在推動現(xiàn)代科學(xué),、技術(shù)和社會進(jìn)步方面一直發(fā)揮著極其重要的作用。令人驚訝的是,,當(dāng)前正進(jìn)入其第三代時期的半導(dǎo)體領(lǐng)域甚至比以往任何時候都發(fā)展得更快,。迄今為止,半導(dǎo)體行業(yè)主要由三代材料驅(qū)動,。第一代以硅和鍺為代表,,始于20世紀(jì)50年代;第二代以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為代表,,出現(xiàn)于20世紀(jì)80年代,;第三代,主要是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),,可以追溯到20世紀(jì)末,。半導(dǎo)體行業(yè)作為資本、人力和技術(shù)最為密集的制造業(yè),,始終面臨著這樣一個嚴(yán)峻挑戰(zhàn):生產(chǎn)未動,,水電先行。到目前為止,幾乎所有經(jīng)典的半導(dǎo)體生長技術(shù),,如分子束外延(MBE),、脈沖激光沉積(PLD)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和原子層沉積(ALD)等,,都嚴(yán)重依賴于高溫處理和苛刻的真空條件(圖1(a)和1(b)),,基本上都受到大功率穩(wěn)定性的影響。以芯片為例,,其制造工藝層層疊代,、環(huán)環(huán)相扣,從最初的晶片生產(chǎn)到生產(chǎn)線上的切割乃至最終的封裝,、檢查和測試等,,整個制程通常涵蓋數(shù)十個復(fù)雜工序。在這些環(huán)節(jié)中發(fā)生的任何錯誤都將導(dǎo)致晶片報廢以及隨后引發(fā)的巨大損失,。因此,,對于半導(dǎo)體制造企業(yè)來說,其電力供應(yīng)往往需要確保極高的電力質(zhì)量和承受巨大的能耗成本,。在很大程度上,,半導(dǎo)體行業(yè)可以被視為一個耗電“大戶”,所以節(jié)能降耗迫在眉睫,。


  如今,,基于液態(tài)金屬的半導(dǎo)體室溫印刷技術(shù)已開啟了它們的旅程。與需要高溫,、高真空,、高能耗和復(fù)雜工藝的化學(xué)氣相沉積等傳統(tǒng)方法不同的是,這種液態(tài)金屬半導(dǎo)體印刷技術(shù)簡捷,、穩(wěn)定,、經(jīng)濟(jì)、高效,、節(jié)能,。它并不取決于基材的性質(zhì),可根據(jù)需要沉積在各種表面上,,包括那些低成本的柔性材料,,如塑料、紙張和織物等,。這將大大促進(jìn)柔性電子的普及制造和使用,。更重要的是,,液態(tài)金屬印刷可以實現(xiàn)批量生產(chǎn)和大面積打印,,個性化單件制造與批量生產(chǎn)成本相當(dāng),具有獨特的優(yōu)勢和巨大的潛力。目前,,集成電路芯片加工的最大晶圓直徑為300毫米,,而印刷半導(dǎo)體和器件的直徑可以超過1米。由于液態(tài)金屬的反應(yīng)性,、非極化性和模板性,,它們可以提供許多有效的解決方案,有效應(yīng)對當(dāng)前半導(dǎo)體的技術(shù)挑戰(zhàn),,顯著降低成本和能耗,。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制備工藝中,爐內(nèi)溫度可高達(dá)1000°C,。例如,,工業(yè)硅爐的功耗為6300 kVA。除酸洗不耗電外,,其余均為高能耗,。但是,一旦硅芯和硅棒在酸洗時排出的酸沒有得到適當(dāng)?shù)奶幚�,,就很容易對環(huán)境造成污染,。相反,液態(tài)金屬半導(dǎo)體印刷技術(shù)成本低且節(jié)能環(huán)保,,一臺設(shè)備可以完成幾乎所有的印刷制造過程,。雖然對不同方法的功耗增益進(jìn)行完整比較取決于各自的具體工作情況,但液態(tài)金屬印刷半導(dǎo)體方法的效果產(chǎn)出相當(dāng)有前景,,這是由其制程完成了從傳統(tǒng)MOCVD(950°C–1050°C)和ALD(250°C以上)工藝路線到25°C附近室溫制造的轉(zhuǎn)身(圖1),。此外,基于增材制造的印刷工藝是完全綠色環(huán)保的,。一方面,,這種制造節(jié)省了原材料,避免了潛在的污染,。另一方面,,印刷方式本身不依賴高溫過程,因此節(jié)省了大量能源并減少了碳排放,�,?偠灾簯B(tài)金屬印刷制備半導(dǎo)體材料和高性能功能器件的大門已經(jīng)開啟,。隨著該領(lǐng)域不斷取得更多的技術(shù)進(jìn)步和基礎(chǔ)發(fā)現(xiàn),,這種半導(dǎo)體印刷將對未來的能源社會和環(huán)境保護(hù)產(chǎn)生日益重要的影響。



  圖1 制造半導(dǎo)體的三類代表性方法的工作原理及溫度條件,。(a)MOCVD法制造半導(dǎo)體,,溫度在950℃~1050℃;(b)ALD法制造半導(dǎo)體,,要求溫度高于250℃;(c) 氣體或等離子體介導(dǎo)的液態(tài)金屬鎵化學(xué)反應(yīng),用于室溫制造半導(dǎo)體,,約25℃,。


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