【CPP114】訊：印制線路板（PWB）技術50年間發(fā)展以作者（伊藤瑾司）的見解分為6個時期,，介紹如下：

　　1、PWB誕生期：1936年~（制造方法：加成法）

　　作者最初知道“印制板”是在1948年,，當時是進入東京芝浦電氣株式會社剛2年的新員工，受課長指示開始調查“印制板”,。到允許日本人閱覽的美國駐軍圖書室查閱,，偶然發(fā)現了“印制電路技術”為題的技術論文。當時沒有復印機,，需要的文獻只能用筆抄寫，論文全部約有200頁,，詳細敘述了涂抹法,、噴射法、真空沉積法,、蒸發(fā)法、化學沉積法,、涂敷法等各種工藝，所介紹的都是絕緣板表面添加導電性材料形成導體圖形,，稱為“加成法工藝”,。使用這類生產專利的印制板曾在1936年底時應用于無線電接收機中。

　　2,、PWB試產期：1950年~（制造方法：減成法）

　　作者在進入沖電氣工業(yè)公司1年后，在1953年起通信設備業(yè)對PWB開始重視,，制造方法是使用覆銅箔紙基酚醛樹脂層壓板（PP基材），用化學藥品溶解除去不需要的銅箔,，留下的銅箔成為電路,，稱為“減成法工藝”。在一些標牌制造工廠內用此工藝試做PWB,，以手工操作為主,，腐蝕液是三氯化鐵,，濺上衣服就會變黃。當時應用PWB的代表性產品是索屁制造的手提式晶體管收音機，應和PP基材的單面PWB,。在1958年日本出版了書名為“印制電路”的最早的有關PWB啟蒙書藉,。

　　3、PWB實用期：1960年~（新材料：GE基材登場）

　　1955年沖電氣公司與美國Raytheon進行技術合作,，制造“海洋雷達”。Raytheon公司指定PWB要應用覆銅箔玻璃布環(huán)氧樹脂層壓板（GE基材）,。于是日本開發(fā)GE基材新材料并完成國產化,，實現國產海洋雷達批量生產。1960年起沖電氣公司開始在批量生產電氣傳輸裝置的PWB大量用到GE基板材料,。

　　1962年日本“印制電路工業(yè)會”成立,。1964年美國光電路公司開發(fā)出沉厚銅化學鍍銅液（CC—4溶液）,，開始了新的加成法制造PWB工藝。日立化成公司引進了CC—4技術,。用于PWB的國產GE基板在初期有加熱翹曲變形,、銅箔剝離等問題，材料制造商逐漸改進而提高,，1965年起日本有好幾家材料制造商開始批量生產GE基板，工業(yè)用電子設備用GE基板,，民用電子設備用PP基板,，已成為常識。

　　4,、PWB跌進期：1970~（MLB登場,，新安裝方式登場）

　　沖電氣公司等通信設備制造企業(yè)各自設立PWB生產工廠，同時PWB專業(yè)制造公司也快速崛起,。這時,，開始采用電鍍貫通孔實現PWB的層間互連。在1972~1981年的10年間,，日本PWB生產金額約增長6倍（1972年產值471億日元,，1981年產值3021億日元），是大躍進的紀錄,。

　　1970年起電訊公司的電子交換機用PWB用到3層印制板,，此后大型計算機用到多層印制板（MLB）,，由此MLB得到重用而急速發(fā)展，超過20層的MLB用聚酰亞胺樹脂層壓板作為絕緣基板。這個時期的PWB從4層向6,、8,、10、20,、40,、50層…,，更多層發(fā)展，同時實行高密度化（細線,、小孔,、薄板化），線路寬度與間距從0.5mm向0.35,、0.2,、0.1mm發(fā)展,，PWB單位面積上布線密度大幅提高。

　　PWB上元件安裝方式開始了革命性變化,，原來的插入式安裝技術（TMT）改變?yōu)楸砻姘惭b技術（SMT）,。引線插入式安裝方法在PWB上應用有20年以上了，并都依靠手工操作的,，這時也開發(fā)出自動元件插入機,，實現自動裝配線,。SMT更是采用自動裝配線,，并實現PWB兩面貼裝元件,。

　　5、MLB躍進期：1980年~（超高密度安裝的設備登場）

　　在1982年~1991年的10年間,，日本PWB產值約增長3倍（1982年產值3615億日元，1991年10940億日元）,。MLB的產值1986年時1468億日元,，追上單面板產值；到1989年時2784億日元,，接近雙面板產值，以后就MLB占主要地位了。

　　1980年后PCB高密度化明顯提高,，有生產62層玻璃陶瓷基MLB,，MLB高密度化推動移動電話和計算機開發(fā)競爭。

　　6,、邁向21世紀的助跑期：1990年~（積層法MLB登場）

　　1991年后日本泡沫經濟破滅,，電子設備和PWB受影響下降,，到1994年后才開始恢復，MLB和撓性板有大增長,，而單面板與雙面板產量卻開始一直下跌,。1998年起積層法MLB進入實用期，產量急速增加,，IC元件封裝形式進入面陣列端接型的BGA和CSP,，走向小型化,、超高密度化安裝。

　　今后的展望

　　50多年來PWB發(fā)展變化巨大,。自1947的發(fā)明半導體晶體管以來,，電子設備的形態(tài)發(fā)生大變樣，半導體由IC,、ISI,、VLSI、…向高集成度發(fā)展,，開發(fā)出了MCM、BGA,、CSP等更高集成化的IC,。21世紀初期的技術趨向就是為設備的高密度化、小型化和輕量化努力,，主導21世紀的創(chuàng)新技術將是“納米技術”,，會帶動電子元件的研究開發(fā),。


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